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- 发布日期：2024-01-10 16:43 点击次数：136
MWT-PH15F
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编号：
938-MWT-PH15F
制造商编号：
MWT-PH15F
制造商：
CML Micro
CML Micro
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
数据表:
MWT-PH15F 数据表 (PDF)
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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: CML Micro 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: - 技术: GaAs Id-连续漏极电流: 150 mA to 190 mA Vds-漏源极击穿电压: 7.5 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 28 GHz 增益: 12 dB 输出功率: 28 dBm 最小工作温度: - 最大工作温度: + 150 C 安装风格: - 封装 / 箱体: Die 封装: Bulk 商标: CML Micro 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: MWT 工厂包装数量: 工厂包装数量: 100 子类别: MOSFETs 商标名: MWT-PH15F 晶体管类型: pHEMT 单位重量: 0.140 mg
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产品合规性
USHTS: 8541210040 TARIC: 8541290000 ECCN: EAR99
更多信息
GaAs FET & pHEMT Devices
MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.
- CML Micro MWT-PH7F2024-01-10