硅基光电集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低时延的优势;无需过分追求工艺尺寸的缩小。硅光产业今年市场规模将突破28亿美元，未来可达数百亿美元。 近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）应用于探测器，L波段探测率超过商用锗探测器2-3倍。 12英寸平台的GeSn LED器件方面，实现高质量CVD外延法6英寸GeSn生长突破，实现直接带隙GeSn薄膜;与美国应用材料公司合作，实现12英寸硅衬底Ge/GeSn MQW单晶薄膜生长。8英寸 GeOI平台的GeSn垂直腔面光源器件方面，设计并制备了绝